Компания Toshiba представила новое поколение флеш-памяти с трехмерной (3D) многослойной структурой ячеек BiCS FLASH™. Новинка стала первым в мире, по данным разработчика, 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS. В ней используется технология трехуровневых ячеек (TLC) с тремя битами в каждой ячейке. Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре.
BiCS FLASH – это структура с вертикальным расположением слоев ячеек флеш-памяти на кремниевой подложке, обеспечивающая значительное увеличение плотности по сравнению с планарной флеш-памятью NAND, где ячейки формируются на кремниевой подложке.
Устройства BiCS FLASH выпускаются на основе самого современного многослойного технологического процесса с 48 слоями, который обеспечивает превосходство в емкости по сравнению с традиционной двумерной флеш-памятью NAND, а также позволяет увеличить количество циклов записи/стирания и повысить скорость записи. Новое устройство емкостью 256 Гбит подходит для различных сфер применения, в том числе для бытовых SSD-дисков, смартфонов, планшетных ПК и карт памяти, а также для корпоративных SSD-дисков, используемых в центрах обработки данных.
Прототип технологии BiCS FLASH был представлен компанией Toshiba в июне 2007 года, после чего продолжились разработки в целях оптимизации для серийного производства. Для удовлетворения растущего спроса на рынке флеш-памяти в 2016 году и с учетом долгосрочной перспективы компания Toshiba активно стимулирует переход на технологии BiCS FLASH, создавая ассортимент изделий для применения в устройствах большой емкости, таких как SSD-диски.
Компания Toshiba много лет занимается разработкой и производством флеш-памяти, и в настоящее время готовится к запуску серийного производства устройств BiCS FLASH на новом производственном предприятии Fab2 в промышленной зоне Йоккаити, где в настоящее время размещено производство флеш-памяти NAND. Предприятие Fab2 начнет работу в первой половине 2016 г.
